1 / 1

1 : $8.1200

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Tagore Technology TP44220HB

Name: TP44220HB
Brand: Tagore Technology
SKU: TP44220HB-DS
Price: 8.1200 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 2865

MOQ: 1

1 Уровни цен

Производитель Модель :TP44220HB
Производитель :Tagore Technology
Dasenic # :TP44220HB-DS
Документация : TP44220HB Документация PDF
Описание : GAN FET 1/2 BRIDGE .18OHM 30QFN
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $8.1200
Общая стоимость: $8.12

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$8.1200	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Tagore Technology TP44220HB технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers

Статус продукта:Active

Приложение:General Purpose

Упаковка / Кейс:30-PowerWFQFN

Технологии:Gallium Nitride (GaN) FETs

Конфигурация вывода:Half Bridge

Тип нагрузки:Resistive

Rds On(Тип):180mOhm LS, 180mOhm HS

Напряжение-Нагрузка:650V (Max)

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Регламент REACH:REACH is not affected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TP44220HB предоставлено Tagore Technology

Tagore Technology была основана в январе 2011 года как пионер полупроводниковой технологии нитрида галлия на кремнии (GaN-на-Si) для радиочастотных (РЧ) и энергосберегающих приложений. Наши передовые запатентованные технологии и устройства значительно снижают сложность, размер, вес и энергопотребление системных решений по агрессивной цене, обеспечивая значительно улучшенный показатель качества преобразования мощности по сравнению с кремниевыми решениями. Мы являемся компанией без собственных производственных мощностей с центрами проектирования в Арлингтон-Хайтс, Иллинойс, США, и Калькутте, Индия. Наша команда НИОКР занимается разработкой прорывных решений с использованием технологий с широкой запрещенной зоной, которые помогают решать проблемы проектирования РЧ и электропитания для наших клиентов и ускоряют время выхода на рынок для широкого спектра приложений от сотовой инфраструктуры 5G до потребительских, автомобильных, оборонных и охранных приложений. Мы сотрудничаем с ведущими литейными и сборочными заводами полупроводников, чтобы поставлять продукцию, которая отличается превосходным качеством и проверенной высокой надежностью.