1 / 1

1 : $47.3580

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Tagore Technology TA9310E

Name: TA9310E
Brand: Tagore Technology
SKU: TA9310E-DS
Price: 47.3580 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1683

MOQ: 1

3 Уровни цен

Производитель Модель :TA9310E
Производитель :Tagore Technology
Dasenic # :TA9310E-DS
Документация : TA9310E Документация PDF
Описание : PA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $47.3580
Общая стоимость: $47.36

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$47.3580	-
2-100	$44.4870	6.1% Сохранять
101-500	$40.6710	14.1% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Tagore Technology TA9310E технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Статус продукта:Active

Напряжение - номинальное:120 V

Упаковка / Кейс:8-VDFN Exposed Pad

Частота:30MHz ~ 4GHz

Номинальный ток (Ампер):-

Пакет устройств поставщика:8-QFN (5x6)

Мощность - Выход:20W

Тип транзистора:GaN HEMT

Прирост:17.5dB

Напряжение - Тест:32 V

Шумовой показатель:-

Текущий - Тест:100 mA

Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Регламент REACH:REACH Unaffected

Классификационный номер экспортного контроля:DISC 3A001B3

ХТС США:8542.33.0001

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TA9310E предоставлено Tagore Technology

Tagore Technology была основана в январе 2011 года как пионер полупроводниковой технологии нитрида галлия на кремнии (GaN-на-Si) для радиочастотных (РЧ) и энергосберегающих приложений. Наши передовые запатентованные технологии и устройства значительно снижают сложность, размер, вес и энергопотребление системных решений по агрессивной цене, обеспечивая значительно улучшенный показатель качества преобразования мощности по сравнению с кремниевыми решениями. Мы являемся компанией без собственных производственных мощностей с центрами проектирования в Арлингтон-Хайтс, Иллинойс, США, и Калькутте, Индия. Наша команда НИОКР занимается разработкой прорывных решений с использованием технологий с широкой запрещенной зоной, которые помогают решать проблемы проектирования РЧ и электропитания для наших клиентов и ускоряют время выхода на рынок для широкого спектра приложений от сотовой инфраструктуры 5G до потребительских, автомобильных, оборонных и охранных приложений. Мы сотрудничаем с ведущими литейными и сборочными заводами полупроводников, чтобы поставлять продукцию, которая отличается превосходным качеством и проверенной высокой надежностью.