1 / 1

1 : $63.1080

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Tagore Technology TA9410E

Name: TA9410E
Brand: Tagore Technology
SKU: TA9410E-DS
Price: 63.1080 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1554

MOQ: 1

3 Уровни цен

Производитель Модель :TA9410E
Производитель :Tagore Technology
Dasenic # :TA9410E-DS
Документация : TA9410E Документация PDF
Описание : PA RF GAN PWR 25W .03-4GHZ 50V
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $63.1080
Общая стоимость: $63.11

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$63.1080	-
2-100	$54.6210	13.4% Сохранять
101-500	$50.7420	19.6% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Tagore Technology TA9410E технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Статус продукта:Active

Напряжение - номинальное:50 V

Упаковка / Кейс:8-VDFN Exposed Pad

Частота:20MHz ~ 3GHz

Номинальный ток (Ампер):30A

Пакет устройств поставщика:8-QFN (5x6)

Мощность - Выход:25W

Тип транзистора:GaN HEMT

Прирост:17dB

Напряжение - Тест:-

Шумовой показатель:-

Текущий - Тест:-

Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Регламент REACH:REACH Unaffected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8542.33.0001

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

TA9410E предоставлено Tagore Technology

Tagore Technology была основана в январе 2011 года как пионер полупроводниковой технологии нитрида галлия на кремнии (GaN-на-Si) для радиочастотных (РЧ) и энергосберегающих приложений. Наши передовые запатентованные технологии и устройства значительно снижают сложность, размер, вес и энергопотребление системных решений по агрессивной цене, обеспечивая значительно улучшенный показатель качества преобразования мощности по сравнению с кремниевыми решениями. Мы являемся компанией без собственных производственных мощностей с центрами проектирования в Арлингтон-Хайтс, Иллинойс, США, и Калькутте, Индия. Наша команда НИОКР занимается разработкой прорывных решений с использованием технологий с широкой запрещенной зоной, которые помогают решать проблемы проектирования РЧ и электропитания для наших клиентов и ускоряют время выхода на рынок для широкого спектра приложений от сотовой инфраструктуры 5G до потребительских, автомобильных, оборонных и охранных приложений. Мы сотрудничаем с ведущими литейными и сборочными заводами полупроводников, чтобы поставлять продукцию, которая отличается превосходным качеством и проверенной высокой надежностью.