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Renesas Electronics HIP2100EIB
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Производитель Модель :HIP2100EIB
Производитель :Renesas Electronics
Dasenic :HIP2100EIB-DS
Документация :
HIP2100EIB Документация
HIP2100EIB ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 3.1230 | $ 3.12 |
| 25+ | $ 3.0600 | $ 76.5 |
| 100+ | $ 2.9340 | $ 293.4 |
| 500+ | $ 2.8080 | $ 1404 |
| 1000+ | $ 2.6550 | $ 2655 |
Запасы: 16098
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HIP2100EIB information
Renesas Electronics HIP2100EIB технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
- 電圧 - 供給:9V ~ 14V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:4V, 7V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):114 V
- 上昇/下降時間（標準）:10ns, 10ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HIP2100EIB предоставлено Renesas
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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