Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $1.4400

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS IXDN602D2TR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
part number has RoHS
Производитель Модель :IXDN602D2TR
Производитель :IXYS
Dasenic :IXDN602D2TR-DS
Документация :pdf download IXDN602D2TR Документация
Пользователи :
Описание : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 1.4400$ 1.44
10+$ 1.2240$ 12.24
100+$ 1.0440$ 104.4
250+$ 0.9810$ 245.25
500+$ 0.8541$ 427.05
Запасы: 6000
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.44
Общая стоимость :$ 1.44
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IXDN602D2TR information

  • IXYS IXDN602D2TR технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-VDFN Exposed Pad
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN-EP (5x4)
  • 電圧 - 供給:4.5V ~ 35V
  • チャンネルタイプ:Independent
  • 駆動構成:Low-Side
  • ドライバー数:2
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):2A, 2A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
  • 上昇/下降時間(標準):7.5ns, 6.5ns
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.39.0001
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDN602D2TR предоставлено IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ