Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $10.9350

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Global Power Technology-GPT G5S12020PM

    SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :G5S12020PM
  • Производитель :Global Power Technology-GPT
  • Dasenic :G5S12020PM-DS
  • Документация :pdf download G5S12020PM Документация
  • Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 10.935Общая стоимость : $ 10.94
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 5940
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
30 +$ 10.9350$ 328.05

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Global Power Technology-GPT G5S12020PM технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AC
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):62A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 20 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:1320pF @ 0V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
REACH規則:REACH info available upon request
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Global Power Technology-GPT G5S12020PM
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
Global Power Technology-GPT Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ