Изображения предназначены только для справки.
1 : $10.1200
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Global Power Technology-GPT G3S06508B
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
- Производитель Модель :G3S06508B
- Производитель :Global Power Technology-GPT
- Dasenic :G3S06508B-DS
- Документация :
G3S06508B Документация - Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 10.12Общая стоимость : $ 10.12
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 1428
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1 + | $ 10.1200 | $ 10.12 |
| 10 + | $ 8.4940 | $ 84.94 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
Global Power Technology-GPT G3S06508B технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Статус продукта:Active
Тип крепления:Through Hole
Упаковка / Кейс:TO-247-3
Пакет устройств поставщика:TO-247AB
Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
Тип диода:Silicon Carbide Schottky
Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.7 V @ 8 A
Ток - обратная утечка @ Vr:50 µA @ 650 V
Конфигурация диода:1 Pair Common Cathode
Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):650 V
Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):14A (DC)
Время обратного восстановления (trr):0 ns
Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Регламент REACH:REACH is not affected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Global Power Technology-GPT G3S06508B
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) является одним из пионеров в индустриализации китайских силовых устройств на основе карбида кремния (SiC). Будучи первым производителем силовых устройств на основе карбида кремния в Китае, GPT владеет полным полупроводниковым заводом, расположенным в Пекине. Производственная линия совместима с изготовлением пластин размером 4/6 дюйма. Будучи первой отечественной компанией по обслуживанию платформ НИОКР и производства устройств на основе карбида кремния, производственная линия GPT охватывает базовые технологические продукты, продукты формования SIC и множество промышленных решений. Основная продукция компании представлена диодами Шоттки на основе карбида кремния. Серия продуктов на основе диодов Шоттки на основе карбида кремния была запущена в массовое производство, качество продукции можно сравнить с передовым уровнем той же отрасли в мире.
Global Power Technology-GPT Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
G3S06508B тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
