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UnitedSiC UJ3C065080B3

MOSFET N-CH 650V 25A TO263
part number has RoHS
Производитель Модель :UJ3C065080B3
Производитель :UnitedSiC
Dasenic :UJ3C065080B3-DS
Документация :pdf download UJ3C065080B3 Документация
Пользователи :
Описание : MOSFET N-CH 650V 25A TO263
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 5.5350$ 5.54
25+$ 4.8060$ 120.15
100+$ 4.1490$ 414.9
250+$ 3.8250$ 956.25
500+$ 3.7620$ 1881
Запасы: 7070
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 5.535
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UJ3C065080B3 information

  • UnitedSiC UJ3C065080B3 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • テクノロジー:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263 (D²Pak)
  • 消費電力(最大):115W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:25A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:111mOhm @ 20A, 12V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:6V @ 10mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:51 nC @ 15 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1500 pF @ 100 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):12V
  • Vgs (最大):±25V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UJ3C065080B3 предоставлено UnitedSiC
1999年、ラトガース大学の小さな研究者チームがUnitedSiCを設立しました。2010年、UnitedSiCはプリンストンニュージャージーの近くにパイロット生産クリーンルームを建設し、SiCプロセスを商業ファウンドリに直接設置できる段階まで強化しました。この時点で、UnitedSiCはファブレス企業となり、製品設計、研究開発、顧客サポートにリソースを集中させました。2021年11月3日、QorvoはUnitedSiCの買収を発表し、UnitedSiCはQorvoのインフラストラクチャおよび防衛製品(IDP)事業の一部となりました。UnitedSiCのテクノロジーは、Qorvoの補完的なプログラマブル電源管理製品と世界クラスのサプライチェーン機能と相まって、UnitedSiCは最先端のアプリケーションで優れたレベルの電力効率を実現できるようになります。現在、世界中のお客様が、新しい電気自動車 (EV) 充電器、AC-DC および DC-DC 電源、ソリッドステート回路ブレーカー、可変速モーター ドライブ、太陽光発電インバーターに UnitedSiC FET、JFET、ショットキー ダイオード デバイスを使用しています。
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