1 / 1

1 : $8.3336

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Transphorm TPH3208PS

Name: TPH3208PS
Brand: Transphorm
SKU: TPH3208PS-DS
Price: 8.3336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 7412

MOQ: 1

4 Уровни цен

Производитель Модель :TPH3208PS
Производитель :Transphorm
Dasenic # :TPH3208PS-DS
Документация : TPH3208PS Документация PDF
Описание : GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $8.3336
Общая стоимость: $8.33

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$8.3336	-
2-10	$7.8619	5.7% Сохранять
11-100	$7.4169	11.0% Сохранять
101-1000	$6.6010	20.8% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Transphorm TPH3208PS технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Obsolete

Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-220-3

Технологии:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Пакет устройств поставщика:TO-220AB

Рассеиваемая мощность (макс.):96W (Tc)

Тип полевого транзистора:N-Channel

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):650 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:20A (Tc)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:130mOhm @ 13A, 8V

Vgs(th) (Макс) @ Id:2.6V @ 300µA

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:14 nC @ 8 V

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:760 pF @ 400 V

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V

Vgs (макс.):±18V

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.29.0095

Регламент REACH:Vendor is not defined

Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

TPH3208PS предоставлено Transphorm

Transphorm, основанная в 2007 году, является глобальной полупроводниковой компанией, лидирующей в GaN-революции с GaN-устройствами высочайшей производительности и надежности для высоковольтных преобразователей мощности. Чтобы обеспечить это, Transphorm использует свой уникальный вертикально интегрированный бизнес-подход, который использует самую опытную в отрасли команду инженеров GaN на каждом этапе разработки: проектирование, изготовление, поддержка устройств и приложений. Этот подход, подкрепленный одним из крупнейших в отрасли портфелей интеллектуальной собственности с более чем 1000 патентами, привел к появлению единственных в отрасли GaN-полевых транзисторов, сертифицированных JEDEC и AEC-Q101. Инновации Transphorm выводят силовую электронику за пределы ограничений кремния, достигая более 99% эффективности, 40% большей плотности мощности и 20% меньшей стоимости системы — и вот как мы это делаем.