Transphorm TP65H300G4LSG
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- メーカー品番 :TP65H300G4LSG
- メーカーです :Transphorm
- Dasenic # :TP65H300G4LSG-DS
- ドキュメント : TP65H300G4LSG ドキュメント PDF
- 説明する : GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- パッケージ :-
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Transphorm TP65H300G4LSG 技術仕様、属性、パラメータ。
カテゴリ:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:3-PowerDFN
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (8x8)
消費電力（最大）:21W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6.5A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:312mOhm @ 5A, 8V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.6V @ 500µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9.6 nC @ 8 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:760 pF @ 400 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:8V
Vgs (最大):±18V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TP65H300G4LSG は Transphorm によって提供されています
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
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評価とレビュー
Great Product
John D.
Excellent product quality and fast shipping service. Will definitely purchase again!
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Sarah M.
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Mike R.
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