Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $29.6100

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Transphorm TP65H015G5WS

    650 V 95 A GAN FET
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :TP65H015G5WS
  • Производитель :Transphorm
  • Dasenic :TP65H015G5WS-DS
  • Документация :pdf download TP65H015G5WS Документация
  • Описание : 650 V 95 A GAN FET
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 29.61Общая стоимость : $ 29.61
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 4668
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
1 +$ 29.6100$ 29.61
30 +$ 19.4130$ 582.39
120 +$ 18.9990$ 2279.88

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Transphorm TP65H015G5WS технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力(最大):266W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:93A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:18mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.8V @ 2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:100 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5218 pF @ 400 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Transphorm TP65H015G5WS
2007 年に設立された Transphorm は、高電圧電力変換アプリケーション向けの最高性能、最高信頼性の GaN デバイスで GaN 革命をリードするグローバル半導体企業です。これを実現するために、Transphorm は、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、開発のあらゆる段階で業界で最も経験豊富な GaN エンジニアリング チームを活用する独自の垂直統合型ビジネス アプローチを展開しています。このアプローチは、1,000 件を超える特許を擁する業界最大級の IP ポートフォリオに支えられており、業界で唯一の JEDEC および AEC-Q101 認定 GaN FET を生み出しました。Transphorm のイノベーションは、パワー エレクトロニクスをシリコンの限界を超えて、99% を超える効率、40% の電力密度、20% のシステム コスト削減を実現します。その方法は次のとおりです。
Transphorm Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ