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Samsung K4F8E304HB-MGCJ
LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
Производитель Модель :K4F8E304HB-MGCJ
Производитель :Samsung
Dasenic :K4F8E304HB-MGCJ-DS
Документация :
K4F8E304HB-MGCJ Документация
K4F8E304HB-MGCJ ДокументацияПользователи :
Описание : LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 22+ | $ 2.1231 | $ 46.71 |
| 46+ | $ 1.9863 | $ 91.37 |
| 71+ | $ 1.9179 | $ 136.17 |
| 102+ | $ 1.7811 | $ 181.67 |
| 132+ | $ 1.7127 | $ 226.08 |
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K4F8E304HB-MGCJ information
Samsung K4F8E304HB-MGCJ технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-25°C ~ 85°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:200-TFBGA
- メモリサイズ:8Gbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.1V
- クロック周波数:1866 MHz
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 記憶の組織化:256M x 32
- パッケージ:Tray
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
K4F8E304HB-MGCJ предоставлено Samsung
Samsung Semiconductor, Inc. は、世界最大の電子企業のひとつである Samsung Electronics の子会社です。Samsung Semiconductor は、メモリ、ストレージ、システムオンチップ ソリューションなどの半導体製品の設計と製造に注力しています。Samsung Semiconductor のメモリ製品ラインには、コンピュータ、スマートフォン、ソリッド ステート ドライブなどの幅広いデバイスで使用されるダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) と NAND フラッシュ メモリが含まれています。メモリに加えて、Samsung Semiconductor は、モバイル デバイスやカメラで使用するための高度なアプリケーション プロセッサやイメージ センサーも製造しています。同社はイノベーションに注力しており、最先端の製品を生み出すために研究開発に多額の投資を行っています。韓国、米国、インド、中国に研究開発センターがあります。Samsung Semiconductor は、米国、中国、韓国などさまざまな国に営業所や製造施設を構え、グローバルに事業を展開しています。同社は、テクノロジー、品質、顧客サービスに重点を置いた世界有数の半導体メーカーです。
Samsung Соответствующая продукция
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