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ROHM Semiconductor BS2103F-E2
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MOQ: 1
10 Preisstufen
- Hersteller Modell :BS2103F-E2
- Hersteller :ROHM Semiconductor
- Dasenic Modell :BS2103F-E2-DS
- Dokument : BS2103F-E2 Dokument PDF
- Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
- Verpackung :-
- Einzelpreis: $1.0440Gesamt: $1.04
| Menge | Einzelpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1-1 | $1.0440 | - |
| 2-10 | $0.6399 | 38.7% Speichern |
| 11-50 | $0.5625 | 46.1% Speichern |
| 51-100 | $0.4941 | 52.7% Speichern |
| 101-200 | $0.4734 | 54.7% Speichern |
| 201-500 | $0.4473 | 57.2% Speichern |
| 501-1000 | $0.4239 | 59.4% Speichern |
| 1001-2000 | $0.4032 | 61.4% Speichern |
| 2001-2500 | $0.3933 | 62.3% Speichern |
| 2501-5000 | $0.3798 | 63.6% Speichern |
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ROHM Semiconductor BS2103F-E2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
電圧 - 供給:10V ~ 18V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:Half-Bridge
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:1V, 2.6V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク):60mA, 130mA
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):600 V
上昇/下降時間(標準):200ns, 100ns
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
BS2103F-E2 bereitgestellt von ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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