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Renesas Electronics ISL6613AEIBZ-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Производитель Модель :ISL6613AEIBZ-T
Производитель :Renesas Electronics
Dasenic :ISL6613AEIBZ-T-DS
Документация :
ISL6613AEIBZ-T Документация
ISL6613AEIBZ-T ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 1.7100 | $ 1.71 |
| 25+ | $ 1.6740 | $ 41.85 |
| 100+ | $ 1.6110 | $ 161.1 |
| 500+ | $ 1.5390 | $ 769.5 |
| 1000+ | $ 1.4580 | $ 1458 |
Запасы: 12000
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ISL6613AEIBZ-T information
Renesas Electronics ISL6613AEIBZ-T технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
- 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Synchronous
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1.25A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):36 V
- 上昇/下降時間（標準）:26ns, 18ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6613AEIBZ-T предоставлено Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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