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Renesas Electronics HIP6601BECBZ
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Производитель Модель :HIP6601BECBZ
Производитель :Renesas Electronics
Dasenic :HIP6601BECBZ-DS
Документация :
HIP6601BECBZ Документация
HIP6601BECBZ ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 40+ | $ 0.8514 | $ 34.06 |
| 100+ | $ 0.8514 | $ 85.14 |
| 1000+ | $ 0.8514 | $ 851.4 |
| 10000+ | $ 0.8514 | $ 8514 |
Запасы: 11394
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HIP6601BECBZ information
Renesas Electronics HIP6601BECBZ технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:0°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
- 電圧 - 供給:10.8V ~ 13.2V
- チャンネルタイプ:Synchronous
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:-
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):15 V
- 上昇/下降時間（標準）:20ns, 20ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HIP6601BECBZ предоставлено Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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