Изображения предназначены только для справки.
1 : $9.5800
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Renesas Electronics HIP2101IBZT7A
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Производитель Модель :HIP2101IBZT7A
Производитель :Renesas Electronics
Dasenic :HIP2101IBZT7A-DS
Документация :
HIP2101IBZT7A Документация
HIP2101IBZT7A ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 9.5800 | $ 9.58 |
| 10+ | $ 8.6060 | $ 86.06 |
Запасы: 1517
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 9.58
Общая стоимость :$ 9.58
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
HIP2101IBZT7A information
Renesas Electronics HIP2101IBZT7A технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип ввода:Non-Inverting
- Пакет устройств поставщика:8-SOIC
- Напряжение - Подача:9V ~ 14V
- Тип канала:Independent
- Управляемая конфигурация:Half-Bridge
- Количество водителей:2
- Тип ворот:N-Channel MOSFET
- Логическое напряжение - V I L, V I H:0.8V, 2.2V
- Ток - пиковый выход (источник, приемник):2A, 2A
- Напряжение на высокой стороне - макс. (бутстреп):114 V
- Время нарастания/спада (типичное):10ns, 10ns
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HIP2101IBZT7A предоставлено Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation — японский производитель полупроводников, который предлагает передовые полупроводниковые решения для различных приложений в промышленном, автомобильном, потребительском и других секторах. Компания была основана в 2003 году как совместное предприятие Hitachi, Mitsubishi Electric и NEC Electronics, ее штаб-квартира находится в Токио, Япония. Renesas Electronics предлагает широкий спектр продуктов и услуг, включая микроконтроллеры, микропроцессоры, системы на кристалле (SoC), аналоговые и силовые устройства, устройства памяти, а также различное программное обеспечение и инструменты для разработки систем. Эти продукты используются в различных приложениях, таких как автомобилестроение, промышленность, бытовая техника, мобильные устройства и здравоохранение. В дополнение к своим аппаратным продуктам Renesas предлагает программное обеспечение и инструменты, помогающие клиентам разрабатывать и развертывать собственные решения. Ее интегрированная среда разработки (IDE) e² studio поддерживает несколько языков и платформ, а Renesas предлагает ряд программных стеков для различных приложений. Renesas имеет глобальное присутствие с офисами и производственными предприятиями в Азии, Европе и Америке.
Renesas Electronics Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
