Главная страница
/
Дискретные полупроводниковые приборы
/
Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные
/
PN Junction Semiconductor - P3M06040K3

1 / 1

1 : $24.3400

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

PN Junction Semiconductor P3M06040K3

Name: P3M06040K3
Brand: PN Junction Semiconductor
SKU: P3M06040K3-DS
Price: 24.3400 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 534

MOQ: 1

3 Уровни цен

Производитель Модель :P3M06040K3
Производитель :PN Junction Semiconductor
Dasenic # :P3M06040K3-DS
Документация : P3M06040K3 Документация PDF
Описание : SICFET N-CH 650V 68A TO247-3
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $24.3400
Общая стоимость: $24.34

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$24.3400	-
2-11	$23.1236	5.0% Сохранять
12-101	$24.3400	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

PN Junction Semiconductor P3M06040K3 технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Active

Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-3

Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)

Пакет устройств поставщика:TO-247-3L

Рассеиваемая мощность (макс.):254W

Тип полевого транзистора:N-Channel

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):650 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:68A

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:50mOhm @ 40A, 15V

Vgs(th) (Макс) @ Id:2.4V @ 7.5mA (Typ)

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:-

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:-

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V

Vgs (макс.):+20V, -8V

Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant

Регламент REACH:REACH Affected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.29.0095

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

P3M06040K3 предоставлено PN Junction Semiconductor

Компания PN Junction Semiconductor была основана в сентябре 2018 года как ведущий бренд в области силовых полупроводниковых приборов третьего поколения в Китае. Основной продукцией компании являются автомобильные МОП-транзисторы на основе карбида кремния, SBD-транзисторы на основе карбида кремния и силовые приборы на основе нитрида галлия. Компания имеет самый полный каталог силовых приборов на основе карбида кремния в Китае, причем МОП-транзисторы на основе карбида кремния и SBD-транзисторы охватывают различные уровни напряжения и токопроводящие способности, все из которых прошли тестирование и сертификацию AEC-Q101 и могут соответствовать различным сценариям применения клиентов. Доктор Хуан Син, основатель PN Junction Semiconductor, с 2009 года принимает активное участие в проектировании и разработке силовых приборов на основе карбида кремния и нитрида галлия и учился у профессора Б. Джаянта Балиги, изобретателя IGBT, и профессора Алекса Хуана, изобретателя тиристора. В настоящее время компания PN Junction Semiconductor выпустила более 100 различных моделей диодов из карбида кремния, МОП-транзисторов из карбида кремния, силовых модулей из карбида кремния и изделий GaN HEMT на платформах напряжения 650 В, 1200 В и 1700 В. Изделия массового производства широко используются в электромобилях, источниках питания ИТ-оборудования, фотоэлектрических инверторах, системах накопления энергии, промышленных приложениях и других областях, обеспечивая непрерывные и стабильные поставки производителям Tier 1.