Изображения предназначены только для справки.
1 : $5.0000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
PN Junction Semiconductor P3D06006F2
DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220F-2
Производитель Модель :P3D06006F2
Производитель :PN Junction Semiconductor
Dasenic :P3D06006F2-DS
Документация :
P3D06006F2 Документация
P3D06006F2 ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220F-2
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 5.0000 | $ 5 |
| 11+ | $ 4.5182 | $ 49.7 |
| 101+ | $ 5.0000 | $ 505 |
| 501+ | $ 3.2500 | $ 1628.25 |
| 1001+ | $ 2.8500 | $ 2852.85 |
Запасы: 2404
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 5
Общая стоимость :$ 5.00
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
P3D06006F2 information
PN Junction Semiconductor P3D06006F2 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:-
- Упаковка / Кейс:TO-220F-2
- Пакет устройств поставщика:TO-220F-2
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):15A (DC)
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:-
- Ток - обратная утечка @ Vr:30 µA @ 650 V
- Емкость @ Vr, Ф:-
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):650 V
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
P3D06006F2 предоставлено PN Junction Semiconductor
Компания PN Junction Semiconductor была основана в сентябре 2018 года как ведущий бренд в области силовых полупроводниковых приборов третьего поколения в Китае. Основной продукцией компании являются автомобильные МОП-транзисторы на основе карбида кремния, SBD-транзисторы на основе карбида кремния и силовые приборы на основе нитрида галлия. Компания имеет самый полный каталог силовых приборов на основе карбида кремния в Китае, причем МОП-транзисторы на основе карбида кремния и SBD-транзисторы охватывают различные уровни напряжения и токопроводящие способности, все из которых прошли тестирование и сертификацию AEC-Q101 и могут соответствовать различным сценариям применения клиентов. Доктор Хуан Син, основатель PN Junction Semiconductor, с 2009 года принимает активное участие в проектировании и разработке силовых приборов на основе карбида кремния и нитрида галлия и учился у профессора Б. Джаянта Балиги, изобретателя IGBT, и профессора Алекса Хуана, изобретателя тиристора. В настоящее время компания PN Junction Semiconductor выпустила более 100 различных моделей диодов из карбида кремния, МОП-транзисторов из карбида кремния, силовых модулей из карбида кремния и изделий GaN HEMT на платформах напряжения 650 В, 1200 В и 1700 В. Изделия массового производства широко используются в электромобилях, источниках питания ИТ-оборудования, фотоэлектрических инверторах, системах накопления энергии, промышленных приложениях и других областях, обеспечивая непрерывные и стабильные поставки производителям Tier 1.
PN Junction Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
