Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $1.6290

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • GeneSiC Semiconductor KBU8M

    BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :KBU8M
  • Производитель :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic :KBU8M-DS
  • Документация :pdf download KBU8M Документация
  • Описание : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 1.629Общая стоимость : $ 1.63
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 12615
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
1 +$ 1.6290$ 1.63
10 +$ 1.2150$ 12.15
25 +$ 1.0890$ 27.23
100 +$ 0.9090$ 90.90
250 +$ 0.8145$ 203.63

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor KBU8M технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:4-SIP, KBU
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:KBU
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧(最大):1 kV
電流 - 平均整流 ( Io):8 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1 V @ 8 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1000 V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor KBU8M
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ