Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.0180
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
NXP USA Inc. PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Производитель Модель :PMDPB56XN,115
Производитель :NXP USA Inc.
Dasenic :PMDPB56XN,115-DS
Документация :
PMDPB56XN,115 Документация
PMDPB56XN,115 ДокументацияПользователи :
Описание : MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 0.0180 | $ 0.02 |
Запасы: 6305
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.018
Общая стоимость :$ 0.02
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
PMDPB56XN,115 information
NXP USA Inc. PMDPB56XN,115 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Статус продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:6-UDFN Exposed Pad
- Мощность - Макс.:510mW
- Пакет устройств поставщика:6-HUSON (2x2)
- Тип полевого транзистора:2 N-Channel (Dual)
- Особенность полевого транзистора:Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( Vdss):30V
- Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:3.1A
- Rds On (макс.) @ Id, Vgs:73mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id:1.5V @ 250µA
- Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:2.9nC @ 4.5V
- Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:170pF @ 15V
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:Vendor is not defined
- Классификационный номер экспортного контроля:Provided as per user requirements
- Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
PMDPB56XN,115 предоставлено NXP USA Inc.
NXP USA Inc. — производитель полупроводников со штаб-квартирой в Остине, штат Техас. Компания специализируется на создании решений для автомобильных, промышленных и Интернета вещей (IoT) приложений. Первоначально она была основана в 1953 году как часть Philips и была известна как Philips Semiconductors до 2006 года, когда она была выделена в независимую компанию. NXP USA Inc. — глобальная компания, осуществляющая деятельность в более чем 35 странах. В ней работает около 30 000 сотрудников по всему миру, и она котируется на фондовой бирже NASDAQ под символом «NXPI». Компания имеет разнообразный портфель продуктов и технологий, включая микроконтроллеры, решения для безопасной идентификации, автомобильные решения, цифровые сетевые решения и решения для управления питанием. Одним из ключевых направлений деятельности компании являются автомобильные решения, включая продукты для усовершенствованных систем помощи водителю (ADAS), связи между транспортными средствами (V2V) и безопасного доступа к транспортным средствам. Компания NXP USA Inc. также занимает прочные позиции в сфере Интернета вещей, предлагая широкий спектр продуктов и технологий для умных домов, умных городов и промышленных приложений.
NXP USA Inc. Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
