Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $15.0570

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • IXYS IXTH02N250

    MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :IXTH02N250
  • Производитель :IXYS
  • Dasenic :IXTH02N250-DS
  • Документация :pdf download IXTH02N250 Документация
  • Описание : MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 15.057Общая стоимость : $ 15.06
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 3189
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
1 +$ 15.0570$ 15.06
10 +$ 14.1660$ 141.66
30 +$ 10.1340$ 304.02
60 +$ 9.8370$ 590.22
120 +$ 9.3780$ 1125.36

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IXYS IXTH02N250 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247 (IXTH)
消費電力(最大):83W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):2500 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:200mA (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:450Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:7.4 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:116 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTH02N250
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ