Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $33.3160

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • IXYS IXFN100N10S1

    MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :IXFN100N10S1
  • Производитель :IXYS
  • Dasenic :IXFN100N10S1-DS
  • Документация :pdf download IXFN100N10S1 Документация
  • Описание : MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 33.316Общая стоимость : $ 33.32
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 2323
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
10 +$ 33.3160$ 333.16

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IXYS IXFN100N10S1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
消費電力(最大):360W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 4mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:180 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4500 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXFN100N10S1
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
IXYS Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ