Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $38.0781

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

ISSI® IS61NLP25636A-200B3LI-TR

3.135V~3.465V 9Mbit TFBGA-165(13x15) SRAM
part number has RoHS
Производитель Модель :IS61NLP25636A-200B3LI-TR
Производитель :ISSI®
Dasenic :IS61NLP25636A-200B3LI-TR-DS
Пользователи :
Описание : 3.135V~3.465V 9Mbit TFBGA-165(13x15) SRAM
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 38.0781$ 380.78
2000+$ 25.3854$ 50770.8
Запасы: 1402
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 38.0781
Общая стоимость :$ 38.08
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IS61NLP25636A-200B3LI-TR information

  • ISSI® IS61NLP25636A-200B3LI-TR технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:165-TBGA
  • テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
  • サプライヤーデバイスパッケージ:165-TFBGA (13x15)
  • メモリサイズ:9Mbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:3.135V ~ 3.465V
  • クロック周波数:200 MHz
  • アクセス時間:3.1 ns
  • メモリフォーマット:SRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 基本製品番号:IS61NLP25636
  • 記憶の組織化:256K x 36
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:3A991B2A
  • HTS 米国:8542.32.0041
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61NLP25636A-200B3LI-TR предоставлено ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ