Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $1.6862

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

ISSI® IS43R83200B-6TL

IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
part number has RoHS
Производитель Модель :IS43R83200B-6TL
Производитель :ISSI®
Dasenic :IS43R83200B-6TL-DS
Пользователи :
Описание : IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 1.6862$ 16.86
100+$ 1.6862$ 168.62
1000+$ 1.6862$ 1686.2
10000+$ 1.6862$ 16862
Запасы: 29106
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.6862
Общая стоимость :$ 1.69
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IS43R83200B-6TL information

  • ISSI® IS43R83200B-6TL технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • テクノロジー:SDRAM - DDR
  • サプライヤーデバイスパッケージ:66-TSOP II
  • メモリサイズ:256Mbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:2.3V ~ 2.7V
  • クロック周波数:166 MHz
  • アクセス時間:700 ps
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
  • 基本製品番号:IS43R83200
  • 記憶の組織化:32M x 8
  • パッケージ:Tray
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.32.0024
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IS43R83200B-6TL предоставлено ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
ISSI® Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ