Изображения предназначены только для справки.
1 : $2.3193
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
ISSI® IS43LD16128C-25BLI
2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
Производитель Модель :IS43LD16128C-25BLI
Производитель :ISSI®
Dasenic :IS43LD16128C-25BLI-DS
Документация :
IS43LD16128C-25BLI Документация
IS43LD16128C-25BLI ДокументацияПользователи :
Описание : 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 4
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 7+ | $ 2.3193 | $ 16.24 |
| 10+ | $ 2.2730 | $ 22.73 |
| 100+ | $ 2.2034 | $ 220.34 |
| 500+ | $ 2.1337 | $ 1066.85 |
| 1000+ | $ 2.0874 | $ 2087.4 |
Запасы: 20606
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.3193
Общая стоимость :$ 2.32
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
IS43LD16128C-25BLI information
ISSI® IS43LD16128C-25BLI технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Статус продукта:Active
- Упаковка / Кейс:134-TFBGA
- Технологии:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TC)
- Напряжение питания:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- Размер памяти:2Gbit
- Тип памяти:Volatile
- Частота часов:400 MHz
- Время доступа:5.5 ns
- Формат памяти:DRAM
- Интерфейс памяти:HSUL_12
- Организация памяти:128M x 16
- Write Cycle Time- Word Page:15ns
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LD16128C-25BLI предоставлено ISSI®
Основанная в 1988 году, компания Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) является полупроводниковой компанией, которая специализируется на проектировании, разработке и производстве широкого спектра интегральных схем (ИС) и продуктов памяти. Мы проектируем, разрабатываем и продаем высокопроизводительные интегральные схемы для следующих ключевых рынков: автомобильный, промышленный и медицинский, коммуникационный/корпоративный и цифровой потребительский. Наша основная продукция — высокоскоростная и маломощная SRAM, а также низко- и среднеплотная DRAM, NOR/NAND Flash и eMMC. ISSI также предлагает решения по настройке и специализированные решения для удовлетворения уникальных требований наших клиентов. Региональная штаб-квартира ISSI находится в Калифорнии, а ее офисы по всему миру находятся в материковом Китае, Европе, Гонконге, Индии, Израиле, Японии, Корее, Сингапуре, Тайване и США.
ISSI® Соответствующая продукция
/0b1a4a68251888013a955caffce872fd.jpg)
/cad6f38f615c25ea7ac257c2eff8ef8d.jpg)
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
