Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $14.8590

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Inventchip IV1D12020T2

SIC DIODE, 1200V 20A, TO-247-2
part number has RoHS
Производитель Модель :IV1D12020T2
Производитель :Inventchip
Dasenic :IV1D12020T2-DS
Документация :pdf download IV1D12020T2 Документация
Пользователи :
Описание : SIC DIODE, 1200V 20A, TO-247-2
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 14.8590$ 14.86
30+$ 9.7317$ 291.95
120+$ 14.8590$ 1783.08
Запасы: 1610
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 14.859
Общая стоимость :$ 14.86
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

IV1D12020T2 information

  • Inventchip IV1D12020T2 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-2
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-2
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電流 - 平均整流 ( Io):54A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 20 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:120 µA @ 1200 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:1114pF @ 1V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IV1D12020T2 предоставлено Inventchip
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
Inventchip Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ