Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $3.8610

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Inventchip IV1D06006O2

    SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :IV1D06006O2
  • Производитель :Inventchip
  • Dasenic :IV1D06006O2-DS
  • Документация :pdf download IV1D06006O2 Документация
  • Описание : SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 3.861Общая стоимость : $ 3.86
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 1632
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
1 +$ 3.8610$ 3.86
50 +$ 2.1550$ 107.75
100 +$ 3.8610$ 386.10
500 +$ 1.6875$ 843.75

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Inventchip IV1D06006O2 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):17.4A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.65 V @ 6 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:212pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Inventchip IV1D06006O2
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
Inventchip Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ