Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $0.7150

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1

    MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :IPD65R650CEATMA1
  • Производитель :Infineon Technologies
  • Dasenic :IPD65R650CEATMA1-DS
  • Документация :pdf download IPD65R650CEATMA1 Документация
  • Описание : MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 1.0725Общая стоимость : $ 1.07
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 38
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
10 +$ 1.0725$ 10.73
2500 +$ 0.7150$ 1787.50
5000 +$ 0.6774$ 3387.00
12500 +$ 0.6272$ 7840.00
25000 +$ 0.6172$ 15430.00

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1 технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Статус продукта:Obsolete
Рабочая температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления:Surface Mount
Упаковка / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
Рассеиваемая мощность (макс.):86W (Tc)
Тип полевого транзистора:N-Channel
Особенность полевого транзистора:Super Junction
Напряжение сток-исток ( Vdss):650 V
Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:10.1A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs:650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 0.21mA
Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:23 nC @ 10 V
Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:440 pF @ 100 V
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
Vgs (макс.):±20V
Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Регламент REACH:REACH Unaffected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
ХТС США:8541.29.0095
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) — мировой лидер в области полупроводниковых систем питания и Интернета вещей. Infineon стимулирует декарбонизацию и цифровизацию с помощью своих продуктов и решений. Полупроводниковые продукты компании включают ASIC, ИС управления батареями, решения для синхронизации и синхронизации, защиту от электростатического разряда и перенапряжения, микроконтроллеры памяти, радиочастотные решения, решения для безопасности и смарт-карт, датчики, малосигнальные транзисторы и диоды, трансиверы, беспроводную связь, программное обеспечение и многое другое. Эти продукты используются в автомобильной промышленности, экологически чистой энергетике, управлении питанием, сенсорных решениях и безопасности в приложениях Интернета вещей. Infineon Technologies была основана в 1999 году как ответвление Siemens AG. Штаб-квартира компании находится в Нойбиберге, недалеко от Мюнхена, Германия, и насчитывает около 56 200 сотрудников и 155 филиалов по всему миру.
Infineon Technologies Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ