Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $10.9350

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Global Power Technology-GPT G5S12020BM

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
part number has RoHS
Производитель Модель :G5S12020BM
Производитель :Global Power Technology-GPT
Dasenic :G5S12020BM-DS
Документация :pdf download G5S12020BM Документация
Пользователи :
Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
30+$ 10.9350$ 328.05
Запасы: 5940
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 10.935
Общая стоимость :$ 10.94
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

G5S12020BM information

  • Global Power Technology-GPT G5S12020BM технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AB
  • スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 10 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:30 µA @ 1200 V
  • ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):33A (DC)
  • 逆回復時間 (trr):0 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S12020BM предоставлено Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) は、中国のシリコンカーバイド (SiC) パワーデバイスの産業化における先駆者の 1 つです。中国初の SiC パワーデバイスメーカーとして知られる GPT は、北京に完全な半導体工場を所有しています。生産ラインは、4/6 インチのウェハ製造に対応しています。国内初の SiC デバイス研究開発および生産プラットフォーム サービス企業として、GPT の生産ラインは、基本的なコア技術製品、SIC 成形製品、および複数の産業ソリューションをカバーしています。同社のコア製品は、SiC ショットキー ダイオードに代表されます。一連のシリコンカーバイド ショットキー ダイオード製品が量産されており、製品の品質は世界の同業他社の先進レベルに匹敵します。
Global Power Technology-GPT Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ