1 / 1

1 : $6.4350

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Global Power Technology-GPT G5S12010BM

Name: G5S12010BM
Brand: Global Power Technology-GPT
SKU: G5S12010BM-DS
Price: 6.4350 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 5940

MOQ: 1

1 Уровни цен

Производитель Модель :G5S12010BM
Производитель :Global Power Technology-GPT
Dasenic # :G5S12010BM-DS
Документация : G5S12010BM Документация PDF
Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $6.4350
Общая стоимость: $6.43

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-30	$6.4350	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Global Power Technology-GPT G5S12010BM технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays

Статус продукта:Active

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-3

Пакет устройств поставщика:TO-247AB

Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

Тип диода:Silicon Carbide Schottky

Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.7 V @ 5 A

Ток - обратная утечка @ Vr:50 µA @ 1200 V

Конфигурация диода:1 Pair Common Cathode

Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V

Ток - средний выпрямленный ( Io) (на диод):19.35A (DC)

Время обратного восстановления (trr):0 ns

Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Регламент REACH:REACH is not affected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G5S12010BM предоставлено Global Power Technology-GPT

Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) является одним из пионеров в индустриализации китайских силовых устройств на основе карбида кремния (SiC). Будучи первым производителем силовых устройств на основе карбида кремния в Китае, GPT владеет полным полупроводниковым заводом, расположенным в Пекине. Производственная линия совместима с изготовлением пластин размером 4/6 дюйма. Будучи первой отечественной компанией по обслуживанию платформ НИОКР и производства устройств на основе карбида кремния, производственная линия GPT охватывает базовые технологические продукты, продукты формования SIC и множество промышленных решений. Основная продукция компании представлена диодами Шоттки на основе карбида кремния. Серия продуктов на основе диодов Шоттки на основе карбида кремния была запущена в массовое производство, качество продукции можно сравнить с передовым уровнем той же отрасли в мире.