Изображения предназначены только для справки.
1 : $2.5650
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Global Power Technology-GPT G5S06510AT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
Производитель Модель :G5S06510AT
Производитель :Global Power Technology-GPT
Dasenic :G5S06510AT-DS
Документация :
G5S06510AT Документация
G5S06510AT ДокументацияПользователи :
Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 60+ | $ 2.5650 | $ 153.9 |
Запасы: 5940
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.565
Общая стоимость :$ 2.56
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
G5S06510AT information
Global Power Technology-GPT G5S06510AT технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Статус продукта:Active
- Тип крепления:Through Hole
- Упаковка / Кейс:TO-220-2
- Пакет устройств поставщика:TO-220AC
- Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Тип диода:Silicon Carbide Schottky
- Ток - средний выпрямленный ( Io):36A (DC)
- Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.5 V @ 10 A
- Ток - обратная утечка @ Vr:50 µA @ 650 V
- Емкость @ Vr, Ф:645pF @ 0V, 1MHz
- Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):650 V
- Время обратного восстановления (trr):0 ns
- Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
- Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Регламент REACH:REACH info available upon request
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8541.10.0080
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S06510AT предоставлено Global Power Technology-GPT
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) является одним из пионеров в индустриализации китайских силовых устройств на основе карбида кремния (SiC). Будучи первым производителем силовых устройств на основе карбида кремния в Китае, GPT владеет полным полупроводниковым заводом, расположенным в Пекине. Производственная линия совместима с изготовлением пластин размером 4/6 дюйма. Будучи первой отечественной компанией по обслуживанию платформ НИОКР и производства устройств на основе карбида кремния, производственная линия GPT охватывает базовые технологические продукты, продукты формования SIC и множество промышленных решений. Основная продукция компании представлена диодами Шоттки на основе карбида кремния. Серия продуктов на основе диодов Шоттки на основе карбида кремния была запущена в массовое производство, качество продукции можно сравнить с передовым уровнем той же отрасли в мире.
Global Power Technology-GPT Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
