1 / 1

1 : $6.5400

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Global Power Technology-GPT G3S06505H

Name: G3S06505H
Brand: Global Power Technology-GPT
SKU: G3S06505H-DS
Price: 6.5400 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1334

MOQ: 1

2 Уровни цен

Производитель Модель :G3S06505H
Производитель :Global Power Technology-GPT
Dasenic # :G3S06505H-DS
Документация : G3S06505H Документация PDF
Описание : SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $6.5400
Общая стоимость: $6.54

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$6.5400	-
2-10	$5.4840	16.1% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Global Power Technology-GPT G3S06505H технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

Статус продукта:Active

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-220-2 Full Pack

Пакет устройств поставщика:TO-220F

Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)

Тип диода:Silicon Carbide Schottky

Ток - средний выпрямленный ( Io):15.4A (DC)

Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.7 V @ 5 A

Ток - обратная утечка @ Vr:50 µA @ 650 V

Емкость @ Vr, Ф:424pF @ 0V, 1MHz

Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):650 V

Время обратного восстановления (trr):0 ns

Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Регламент REACH:REACH info available upon request

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.10.0080

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

G3S06505H предоставлено Global Power Technology-GPT

Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) является одним из пионеров в индустриализации китайских силовых устройств на основе карбида кремния (SiC). Будучи первым производителем силовых устройств на основе карбида кремния в Китае, GPT владеет полным полупроводниковым заводом, расположенным в Пекине. Производственная линия совместима с изготовлением пластин размером 4/6 дюйма. Будучи первой отечественной компанией по обслуживанию платформ НИОКР и производства устройств на основе карбида кремния, производственная линия GPT охватывает базовые технологические продукты, продукты формования SIC и множество промышленных решений. Основная продукция компании представлена диодами Шоттки на основе карбида кремния. Серия продуктов на основе диодов Шоттки на основе карбида кремния была запущена в массовое производство, качество продукции можно сравнить с передовым уровнем той же отрасли в мире.