Изображения предназначены только для справки.
1 : $41.5260
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N
1200V 100A SOT-227 SIC SCHOTTKY
Производитель Модель :GD2X50MPS12N
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GD2X50MPS12N-DS
Документация :
GD2X50MPS12N Документация
GD2X50MPS12N ДокументацияПользователи :
Описание : 1200V 100A SOT-227 SIC SCHOTTKY
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 41.5260 | $ 41.53 |
| 10+ | $ 37.7460 | $ 377.46 |
| 25+ | $ 36.1260 | $ 903.15 |
| 100+ | $ 33.9660 | $ 3396.6 |
| 250+ | $ 32.6700 | $ 8167.5 |
Запасы: 1729
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 41.526
Общая стоимость :$ 41.53
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GD2X50MPS12N information
GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 50 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:15 µA @ 1200 V
- ダイオード構成:2 Independent
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):76A (DC)
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD2X50MPS12N предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
