Изображения предназначены только для справки.
1 : $6.4260
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H
1200V 20A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
- Производитель Модель :GD20MPS12H
- Производитель :GeneSiC Semiconductor
- Dasenic :GD20MPS12H-DS
- Документация :
GD20MPS12H Документация - Описание : 1200V 20A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
- Упаковка :-
- Количество :цен : $ 6.426Общая стоимость : $ 6.43
- Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
- Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
- Доставка :
- Оплата :
Запасы: 8883
( MOQ : 1 PCS )ЦЕНА（USD） : *Все цены в долларах США
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1 + | $ 6.4260 | $ 6.43 |
| 10 + | $ 5.7780 | $ 57.78 |
| 30 + | $ 5.5350 | $ 166.05 |
| 120 + | $ 5.1930 | $ 623.16 |
| 270 + | $ 4.9770 | $ 1343.79 |
Запрос цитаты
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Статус продукта:Active
Тип крепления:Through Hole
Упаковка / Кейс:TO-247-2
Пакет устройств поставщика:TO-247-2
Скорость:No Recovery Time > 500mA (Io)
Тип диода:Silicon Carbide Schottky
Ток - средний выпрямленный ( Io):39A (DC)
Напряжение - прямое ( Vf) (макс.) @ If:1.8 V @ 20 A
Ток - обратная утечка @ Vr:10 µA @ 1200 V
Емкость @ Vr, Ф:737pF @ 1V, 1MHz
Напряжение - D C обратное ( Vr) (макс.):1200 V
Время обратного восстановления (trr):0 ns
Рабочая температура - соединение:-55°C ~ 175°C
Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
Регламент REACH:REACH is not affected
Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H
GeneSiC Semiconductor — пионер и мировой лидер в области технологий карбида кремния (SiC). Ведущие мировые производители полагаются на технологию GeneSiC для повышения производительности и эффективности своей продукции. Электронные компоненты GeneSiC работают холоднее, быстрее и экономичнее и играют ключевую роль в экономии энергии в широком спектре мощных систем. GeneSiC владеет ведущими патентами на технологии широкозонных силовых устройств, рынок которых, по прогнозам, достигнет более 5 миллиардов долларов к 2025 году. Наши основные преимущества в области проектирования, процесса и технологии повышают ценность конечного продукта наших клиентов, а показатели производительности и стоимости устанавливают новые стандарты в отрасли карбида кремния. В августе 2022 года компания Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) объявила о приобретении GeneSiC Semiconductor.
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
GD20MPS12H тот же тип продукции
Рейтинги и обзоры
Рейтинги
Пожалуйста, оцените продукт!
Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.
