Изображения предназначены только для справки.
1 : $3.3138
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H
1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M
Производитель Модель :GD05MPS17H
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GD05MPS17H-DS
Документация :
GD05MPS17H Документация
GD05MPS17H ДокументацияПользователи :
Описание : 1700V 5A TO-247-2 SIC SCHOTTKY M
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 30+ | $ 3.3138 | $ 99.41 |
| 120+ | $ 3.2202 | $ 386.42 |
| 270+ | $ 3.1491 | $ 850.26 |
| 510+ | $ 3.0816 | $ 1571.62 |
| 1020+ | $ 3.0294 | $ 3089.99 |
Запасы: 3150
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 3.3138
Общая стоимость :$ 3.31
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
GD05MPS17H information
GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):15A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:20 µA @ 1700 V
- 静電容量 @ Vr、 F:361pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1700 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GD05MPS17H предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
