Обратная связь
日本語
default

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $5.3100

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

GeneSiC Semiconductor GBJ35J

600V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
part number has RoHS
Производитель Модель :GBJ35J
Производитель :GeneSiC Semiconductor
Dasenic :GBJ35J-DS
Документация :pdf download GBJ35J Документация
Пользователи :
Описание : 600V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 5.3100$ 53.1
1000+$ 3.5400$ 3540
2000+$ 3.3800$ 6760
4000+$ 3.2200$ 12880
Запасы: 1851
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 5.31
Общая стоимость :$ 5.31
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GBJ35J information

  • GeneSiC Semiconductor GBJ35J технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:4-SIP, GBJ
  • テクノロジー:Standard
  • サプライヤーデバイスパッケージ:GBJ
  • ダイオードタイプ:Single Phase
  • 電圧 - ピーク逆電圧(最大):600 V
  • 電流 - 平均整流 ( Io):35 A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.1 V @ 17.5 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 600 V
  • 基本製品番号:GBJ35
  • パッケージ:Bulk
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBJ35J предоставлено GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ