Изображения предназначены только для справки.

Share

1 : $8.0550

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J

    SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
  • part number has RoHS
  • Производитель Модель :G3R75MT12J
  • Производитель :GeneSiC Semiconductor
  • Dasenic :G3R75MT12J-DS
  • Документация :pdf download G3R75MT12J Документация
  • Описание : SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
  • Упаковка :-
  • Количество :
    цен : $ 8.055Общая стоимость : $ 8.05
  • Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
  • Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
  • Доставка :
    dhlupsfedex
  • Оплата :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Запасы: 1704
( MOQ : 1 PCS )
ЦЕНА(USD) : *Все цены в долларах США
КоличествоценОбщая стоимость
1 +$ 8.0550$ 8.06
5 +$ 7.3620$ 36.81
10 +$ 7.2000$ 72.00
50 +$ 5.6970$ 284.85

Запрос цитаты

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J технические характеристики, атрибуты, параметры.
Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
消費電力(最大):224W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:42A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 7.5mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:54 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1560 pF @ 800 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
Vgs (最大):±15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Рекомендации по связанным продуктам

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

Рейтинги и обзоры

Рейтинги

Пожалуйста, оцените продукт!

Пожалуйста, отправьте комментарии после входа в свою учетную запись.

  • RFQ