Всего 3634 позиций на Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
Производитель
  • Analog Devices Inc.

  • Central Semiconductor

  • Comchip Technology

  • D Components

  • Diodes Incorporated

  • Diotec Semiconductor

  • Flip Electronics

  • Infineon Technologies

  • Linear Integrated Systems Inc.

  • Micro Commercial Components, Corp.

  • Microchip

  • Nexperia USA Inc.

  • NTE Electronics Inc.

  • NXP Semiconductors

  • Onsemi

  • Panasonic

  • Panjit International Inc.

  • Renesas

  • Rochester Electronics

  • ROHM Semiconductor

  • Sanken Electric

  • Solid State

  • STMicroelectronics

  • Texas Instruments

  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • TT Electronics

  • Yangzhou Yangjie Electronic Technology

Статус продукта
  • Active

  • Discontinued at Digi-Key

  • Last Time Buy

  • Not For New Designs

  • Obsolete

Рабочая температура
  • -

  • -20°C ~ 150°C (TJ)

  • -20°C ~ 85°C (TA)

  • -25°C ~ 150°C (TJ)

  • -25°C ~ 85°C

  • -40°C ~ 105°C

  • -40°C ~ 150°C (TJ)

  • -40°C ~ 85°C

  • -40°C ~ 85°C (TA)

  • -55°C ~ 125°C

  • -55°C ~ 125°C (TA)

  • -55°C ~ 125°C (TJ)

  • -55°C ~ 150°C

  • -55°C ~ 150°C (TA)

  • -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления
  • -

  • Surface Mount

  • Through Hole

Упаковка / Кейс
  • -

  • 10-SIP

  • 12-SIP

  • 12-SIP Exposed Tab

  • 14-CDIP (0.300", 7.62mm)

  • 14-DIP

  • 14-DIP (0.300", 7.62mm)

  • 14-Flatpack

  • 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

  • 16-CDIP (0.300", 7.62mm)

  • 16-DIP (0.300", 7.62mm)

  • 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)

  • 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Мощность - Макс.
  • -

  • 1.04W

  • 1.1W

  • 1.25W

  • 1.2W

  • 1.31W

  • 1.47W

  • 1.48W

  • 1.4W

  • 1.56W

  • 1.5W

  • 1.65W

  • 1.6W

  • 1.77W

  • 1.7W

Пакет устройств поставщика
  • -

  • 10-SIP

  • 12-SIP

  • 14-CERDIP

  • 14-DIP

  • 14-Flatpack

  • 14-SOIC

  • 15-SIP

  • 15-ZIP

  • 16-CDIP

  • 16-CERDIP

  • 16-DIP

  • 16-LFCSP (3x3)

  • 16-PDIP

  • 16-PowerDIP

Тип транзистора
  • -

  • 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

  • 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

  • 1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)

  • 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN

  • 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP

  • 2 NPN (Dual)

  • 2 NPN (Dual) Common Base

  • 2 NPN (Dual) Common Emitter

  • 2 NPN (Dual) Matched Pair

  • 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter

  • 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)

  • 2 NPN Darlington (Dual)

Ток - Коллектор ( Ic) (Макс.)
  • -

  • 1.2A

  • 1.35A, 1.1A

  • 1.5A

  • 1.5A, 1.25A

  • 1.5A, 3A

  • 1.75A

  • 1.8A

  • 100mA

  • 100mA, 1.5A

  • 100mA, 1.8A

  • 100mA, 150mA

  • 100mA, 1A

  • 100mA, 200mA

  • 100mA, 3A

Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.)
  • -

  • 100V

  • 100V, 50V

  • 10V

  • 11V

  • 120V

  • 12V

  • 140V

  • 150V

  • 15V

  • 15V, 12V

  • 160V

  • 160V, 150V

  • 16V

  • 17.5V

Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic
  • -

  • 1.28V @ 2mA, 1.75A

  • 1.2V @ 5mA, 50mA

  • 1.3V @ 5mA, 50mA

  • 1.4V @ 2mA, 1.25A

  • 1.4V @ 30mA, 300mA

  • 1.5V @ 100µA, 100mA

  • 1.5V @ 10mA, 2A

  • 1.5V @ 10mA, 3A

  • 1.5V @ 10mA, 5A

  • 1.5V @ 12mA, 6A

  • 1.5V @ 1mA, 1A

  • 1.5V @ 1mA, 500mA

  • 1.5V @ 2.25mA, 1.5A

  • 1.5V @ 2mA, 1A

Ток - Отсечка коллектора (макс.)
  • -

  • 100mA

  • 100nA

  • 100nA (ICBO)

  • 100pA (ICBO)

  • 100µA

  • 100µA (ICBO)

  • 10nA

  • 10nA (ICBO)

  • 10nA, 50nA

  • 10µA

  • 10µA (ICBO)

  • 15nA

  • 15nA (ICBO)

  • 1mA

Коэффициент усиления постоянного тока (h F E) (мин.) при Ic, Vce
  • -

  • 10 @ 500mA, 5V

  • 10 @ 50mA, 5V

  • 100 @ 100mA, 1V

  • 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V

  • 100 @ 100mA, 5V

  • 100 @ 10mA, 1V

  • 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V

  • 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 5V

  • 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V

  • 100 @ 10mA, 5V

  • 100 @ 10µA, 5V

  • 100 @ 150mA, 10V

  • 100 @ 150mA, 1V

  • 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V

Частота - Переход
  • -

  • 1.25MHz

  • 1.5GHz

  • 1.6GHz, 150MHz

  • 100MHz

  • 100MHz, 120MHz

  • 100MHz, 190MHz

  • 100MHz, 200MHz

  • 100MHz, 80MHz

  • 105MHz

  • 10MHz

  • 110MHz

  • 112MHz

  • 114MHz, 142MHz

  • 115MHz

Резистор - База ( R1)
  • -

  • 100kOhms

  • 100kOhms, 2.2kOhms

  • 100Ohms, 10kOhms

  • 10kOhms

  • 10kOhms, 100Ohms

  • 10kOhms, 10kOhms

  • 10kOhms, 22kOhms

  • 10kOhms, 47kOhms

  • 10kOhms, 510Ohms

  • 13kOhms, 130Ohms

  • 175Ohms, 10kOhms

  • 1kOhms

  • 1kOhms, 10kOhms

  • 2.2kOhms

Резистор - Эмиттер-База ( R2)
  • -

  • 100kOhms

  • 10kOhms

  • 10kOhms, 10kOhms

  • 10kOhms, 47kOhms

  • 10kOhms, 5.1kOhms

  • 175Ohms, 10kOhms

  • 1kOhms

  • 2.2kOhms

  • 22kOhms

  • 22kOhms, 10kOhms

  • 22kOhms, 22kOhms

  • 4.7kOhms

  • 4.7kOhms, 10kOhms

  • 4.7kOhms, 47kOhms

Результаты отбора:

Всего 3634 позиций на Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы

Модель продукции Pricing(USD) ЗапасыКоличествоОписаниеСтатус продуктаРабочая температураТип крепленияУпаковка / КейсМощность - Макс.Пакет устройств поставщикаТип транзистораТок - Коллектор ( Ic) (Макс.)Напряжение - Коллектор-Эмиттер Пробой (Макс.)Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, IcТок - Отсечка коллектора (макс.)Коэффициент усиления постоянного тока (h F E) (мин.) при Ic, VceЧастота - ПереходРезистор - База ( R1)Резистор - Эмиттер-База ( R2)
N/A
46
PUMB2/ZLX---------------

10+   $0.3028

12000+   $0.1514

20000+   $0.1502

32000+   $0.1491

60000+   $0.1479

2773
NOW NEXPERIA PEMH10 - SMALL SIGN---------------

10+   $0.0681

50+   $0.0477

250+   $0.0380

1000+   $0.0341

3000+   $0.0318

7410
DI Trst. 60V, 100mA---------------

10+   $0.2800

12000+   $0.1400

1670
DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS---------------
  • RFQ