Изображения предназначены только для справки.
1 : $2.7000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Renesas Electronics ISL6612AEIBZ-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Производитель Модель :ISL6612AEIBZ-T
Производитель :Renesas Electronics
Dasenic :ISL6612AEIBZ-T-DS
Документация :
ISL6612AEIBZ-T Документация
ISL6612AEIBZ-T ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 2.7000 | $ 2.7 |
| 10+ | $ 2.5650 | $ 25.65 |
| 100+ | $ 2.4300 | $ 243 |
| 1000+ | $ 2.1600 | $ 2160 |
| 10000+ | $ 2.0250 | $ 20250 |
Запасы: 42414
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.7
Общая стоимость :$ 2.70
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
ISL6612AEIBZ-T information
Renesas Electronics ISL6612AEIBZ-T технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Статус продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-40°C ~ 125°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Тип ввода:Non-Inverting
- Пакет устройств поставщика:8-SOIC-EP
- Напряжение - Подача:10.8V ~ 13.2V
- Тип канала:Synchronous
- Управляемая конфигурация:Half-Bridge
- Количество водителей:2
- Тип ворот:N-Channel MOSFET
- Логическое напряжение - V I L, V I H:-
- Ток - пиковый выход (источник, приемник):1.25A, 2A
- Напряжение на высокой стороне - макс. (бутстреп):36 V
- Время нарастания/спада (типичное):26ns, 18ns
- Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant
- Классификация MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Регламент REACH:REACH Unaffected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- ХТС США:8542.39.0001
- Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISL6612AEIBZ-T предоставлено Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation — японский производитель полупроводников, который предлагает передовые полупроводниковые решения для различных приложений в промышленном, автомобильном, потребительском и других секторах. Компания была основана в 2003 году как совместное предприятие Hitachi, Mitsubishi Electric и NEC Electronics, ее штаб-квартира находится в Токио, Япония. Renesas Electronics предлагает широкий спектр продуктов и услуг, включая микроконтроллеры, микропроцессоры, системы на кристалле (SoC), аналоговые и силовые устройства, устройства памяти, а также различное программное обеспечение и инструменты для разработки систем. Эти продукты используются в различных приложениях, таких как автомобилестроение, промышленность, бытовая техника, мобильные устройства и здравоохранение. В дополнение к своим аппаратным продуктам Renesas предлагает программное обеспечение и инструменты, помогающие клиентам разрабатывать и развертывать собственные решения. Ее интегрированная среда разработки (IDE) e² studio поддерживает несколько языков и платформ, а Renesas предлагает ряд программных стеков для различных приложений. Renesas имеет глобальное присутствие с офисами и производственными предприятиями в Азии, Европе и Америке.
Renesas Electronics Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
