Изображения предназначены только для справки.
1 : $0.0090
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Renesas Electronics HIP6603BECB-T
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Производитель Модель :HIP6603BECB-T
Производитель :Renesas Electronics
Dasenic :HIP6603BECB-T-DS
Документация :
HIP6603BECB-T Документация
HIP6603BECB-T ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 0.0090 | $ 0.01 |
| 10+ | $ 0.0090 | $ 0.09 |
| 100+ | $ 0.0090 | $ 0.9 |
| 500+ | $ 0.0090 | $ 4.5 |
| 1000+ | $ 0.0090 | $ 9 |
Запасы: 46994
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 0.009
Общая стоимость :$ 0.01
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
HIP6603BECB-T information
Renesas Electronics HIP6603BECB-T технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Статус продукта:Obsolete
- Рабочая температура:0°C ~ 125°C (TJ)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
- Тип ввода:Non-Inverting
- Пакет устройств поставщика:8-SOIC-EP
- Напряжение - Подача:10.8V ~ 13.2V
- Тип канала:Synchronous
- Управляемая конфигурация:Half-Bridge
- Количество водителей:2
- Тип ворот:N-Channel MOSFET
- Логическое напряжение - V I L, V I H:-
- Ток - пиковый выход (источник, приемник):-
- Напряжение на высокой стороне - макс. (бутстреп):15 V
- Время нарастания/спада (типичное):20ns, 20ns
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:Vendor is not defined
- Классификационный номер экспортного контроля:Provided as per user requirements
- Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
HIP6603BECB-T предоставлено Renesas Electronics
Renesas Electronics Corporation — японский производитель полупроводников, который предлагает передовые полупроводниковые решения для различных приложений в промышленном, автомобильном, потребительском и других секторах. Компания была основана в 2003 году как совместное предприятие Hitachi, Mitsubishi Electric и NEC Electronics, ее штаб-квартира находится в Токио, Япония. Renesas Electronics предлагает широкий спектр продуктов и услуг, включая микроконтроллеры, микропроцессоры, системы на кристалле (SoC), аналоговые и силовые устройства, устройства памяти, а также различное программное обеспечение и инструменты для разработки систем. Эти продукты используются в различных приложениях, таких как автомобилестроение, промышленность, бытовая техника, мобильные устройства и здравоохранение. В дополнение к своим аппаратным продуктам Renesas предлагает программное обеспечение и инструменты, помогающие клиентам разрабатывать и развертывать собственные решения. Ее интегрированная среда разработки (IDE) e² studio поддерживает несколько языков и платформ, а Renesas предлагает ряд программных стеков для различных приложений. Renesas имеет глобальное присутствие с офисами и производственными предприятиями в Азии, Европе и Америке.
Renesas Electronics Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
