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PN Junction Semiconductor P3M06300K3

SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
part number has RoHS
Производитель Модель :P3M06300K3
Производитель :PN Junction Semiconductor
Dasenic :P3M06300K3-DS
Документация :pdf download P3M06300K3 Документация
Пользователи :
Описание : SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
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КоличествоценОбщая стоимость
1+$ 9.9600$ 9.96
11+$ 9.4618$ 104.08
101+$ 9.9600$ 1005.96
1000+$ 7.4700$ 7470
Запасы: 2033
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
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P3M06300K3 information

  • PN Junction Semiconductor P3M06300K3 технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-3
  • テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3L
  • 消費電力(最大):38W
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:500mOhm @ 4.5A, 15V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:-
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:904 nC @ 15 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:338 pF @ 400 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
  • Vgs (最大):+20V, -8V
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • REACH規則:REACH Affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
P3M06300K3 предоставлено PN Junction Semiconductor
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
PN Junction Semiconductor Соответствующая продукция

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