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Diodes Incorporated DGD2012S8-13
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Производитель Модель :DGD2012S8-13
Производитель :Diodes Incorporated
Dasenic :DGD2012S8-13-DS
Документация :
DGD2012S8-13 Документация
DGD2012S8-13 ДокументацияПользователи :
Описание : IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
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| Количество | цен | Общая стоимость |
| 10+ | $ 2.0362 | $ 20.36 |
| 2500+ | $ 1.1312 | $ 2828 |
| 5000+ | $ 1.0746 | $ 5373 |
| 12500+ | $ 1.1312 | $ 14140 |
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DGD2012S8-13 information
Diodes Incorporated DGD2012S8-13 технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
- 電圧 - 供給:10V ~ 20V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2.5V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1.9A, 2.3A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):200 V
- 上昇/下降時間（標準）:40ns, 20ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
DGD2012S8-13 предоставлено Diodes Incorporated
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) は、広範なディスクリート、ロジック、アナログ、ミックスドシグナル半導体市場における高品質の特定用途向け標準製品を製造する世界有数の企業です。Diodes は、自動車、産業、コンピューティング、民生用電子機器、通信の各市場にサービスを提供しています。当社の製品ポートフォリオには、ダイオード、トランジスタ、MOSFET、保護デバイス、ロジック、電圧レギュレータ、アンプ、センサー、コンバータや LED ドライバなどの電源管理デバイスが含まれます。また、タイミングおよび接続ソリューションも提供しています。Diodes の製造施設は、ISO 9001:2015、ISO 14001:2015、IATF 16949:2016 (自動車製品向け)、C-TPAT といった国際的に認められた認証を取得しており、優れた品質管理への取り組みを強調するとともに、品質と一貫性を優先する OEM にとっての優先ベンダーとしての信頼性を高めています。当社は米国テキサス州に本社を置き、世界中に設計、マーケティング、エンジニアリング センター、施設を持ち、世界中にサポート オフィスを構えています。
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