Изображения предназначены только для справки.
1 : $13.6000
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Alliance Memory AS6C8016B-55ZINTR
MEMORY
Производитель Модель :AS6C8016B-55ZINTR
Производитель :Alliance Memory
Dasenic :AS6C8016B-55ZINTR-DS
Документация :
AS6C8016B-55ZINTR Документация
AS6C8016B-55ZINTR ДокументацияПользователи :
Описание : MEMORY
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 13.6000 | $ 13.6 |
| 5000+ | $ 13.2000 | $ 66000 |
Запасы: 1973
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 13.6
Общая стоимость :$ 13.60
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
AS6C8016B-55ZINTR information
Alliance Memory AS6C8016B-55ZINTR технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Технологии:SRAM - Asynchronous
- Пакет устройств поставщика:44-TSOP II
- Размер памяти:8Mbit
- Тип памяти:Volatile
- Напряжение - Подача:2.7V ~ 3.6V
- Время доступа:55 ns
- Формат памяти:SRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Время цикла записи — слово, страница:55ns
- Организация памяти:512K x 16
- Упаковка:Tape & Reel (TR)
- Классификация MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS6C8016B-55ZINTR предоставлено Alliance Memory
Alliance Memory — это всемирный производитель без собственных производственных мощностей устаревших и новых технологических продуктов памяти, которые являются заменой микросхем SRAM, DRAM и NOR FLASH от Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix и других. Наша цель — установить долгосрочные отношения с клиентами и обеспечить долгосрочную поддержку для производимых нами деталей. Мы поставляем большую часть наших продуктов SRAM, DRAM и FLASH напрямую со склада, имеющегося в США, Шанхае и на Тайване. Наши конкурентоспособные цены, быстрое выполнение образцов и обслуживание клиентов и поддержка мирового класса сделали Alliance Memory надежным источником для растущего ассортимента необходимых микросхем памяти для рынков связи, вычислений, встраиваемых систем, Интернета вещей, промышленности и потребительских товаров. Alliance Memory, Inc. — частная компания со штаб-квартирой в Вашингтоне, США.
Alliance Memory Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
