Изображения предназначены только для справки.
1 : $2.7810
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Alliance Memory AS4C8M16D1-5BIN
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
Производитель Модель :AS4C8M16D1-5BIN
Производитель :Alliance Memory
Dasenic :AS4C8M16D1-5BIN-DS
Документация :
AS4C8M16D1-5BIN Документация
AS4C8M16D1-5BIN ДокументацияПользователи :
Описание : IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 2.7810 | $ 2.78 |
| 10+ | $ 2.4705 | $ 24.71 |
| 25+ | $ 2.7810 | $ 69.53 |
| 40+ | $ 2.2995 | $ 91.98 |
| 80+ | $ 2.2183 | $ 177.46 |
Запасы: 1691
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 2.781
Общая стоимость :$ 2.78
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
AS4C8M16D1-5BIN information
Alliance Memory AS4C8M16D1-5BIN технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Статус продукта:Active
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- Тип крепления:Surface Mount
- Упаковка / Кейс:60-TFBGA
- Технологии:SDRAM - DDR
- Пакет устройств поставщика:60-TFBGA (8x13)
- Размер памяти:128Mb (8M x 16)
- Тип памяти:Volatile
- Напряжение - Подача:2.3V ~ 2.7V
- Тактовая частота:200 MHz
- Время доступа:700 ps
- Формат памяти:DRAM
- Интерфейс памяти:Parallel
- Время цикла записи — слово, страница:15ns
- Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant
- Регламент REACH:REACH is not affected
- Классификационный номер экспортного контроля:EAR99
- Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C8M16D1-5BIN предоставлено Alliance Memory
Alliance Memory — это всемирный производитель без собственных производственных мощностей устаревших и новых технологических продуктов памяти, которые являются заменой микросхем SRAM, DRAM и NOR FLASH от Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix и других. Наша цель — установить долгосрочные отношения с клиентами и обеспечить долгосрочную поддержку для производимых нами деталей. Мы поставляем большую часть наших продуктов SRAM, DRAM и FLASH напрямую со склада, имеющегося в США, Шанхае и на Тайване. Наши конкурентоспособные цены, быстрое выполнение образцов и обслуживание клиентов и поддержка мирового класса сделали Alliance Memory надежным источником для растущего ассортимента необходимых микросхем памяти для рынков связи, вычислений, встраиваемых систем, Интернета вещей, промышленности и потребительских товаров. Alliance Memory, Inc. — частная компания со штаб-квартирой в Вашингтоне, США.
Alliance Memory Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
/IS62WV10248DBLL-55TLI.JPG)
