Обратная связь
日本語

Изображения предназначены только для справки.

Делиться

1 : $4.0068

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

Alliance Memory AS4C16M16SA-6BIN

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
part number has RoHS
Производитель Модель :AS4C16M16SA-6BIN
Производитель :Alliance Memory
Dasenic :AS4C16M16SA-6BIN-DS
Пользователи :
Описание : IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
ЦЕНА(USD) : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
КоличествоценОбщая стоимость
10+$ 4.0068$ 40.07
348+$ 3.3390$ 1161.97
696+$ 3.2850$ 2286.36
1044+$ 3.2580$ 3401.35
1392+$ 3.2400$ 4510.08
Запасы: 14082
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 4.0068
Общая стоимость :$ 4.01
Доставка :
dhlupsfedex
Оплата :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

AS4C16M16SA-6BIN information

  • Alliance Memory AS4C16M16SA-6BIN технические характеристики, атрибуты, параметры.
  • Категория:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:54-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM
  • サプライヤーデバイスパッケージ:54-TFBGA (8x8)
  • メモリサイズ:256Mb (16M x 16)
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
  • クロック周波数:166 MHz
  • アクセス時間:5 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:12ns
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8542.32.0024
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS4C16M16SA-6BIN предоставлено Alliance Memory
Alliance Memory は、Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix などの SRAM、DRAM、NOR FLASH IC のピン互換代替品であるレガシーおよび新技術メモリ製品を製造する世界的なファブレス メーカーです。当社の目標は、お客様との長期的な関係を築き、当社が製造する部品に対する長期的なサポートを提供することです。当社は、米国、上海、台湾に在庫を保有しており、SRAM、DRAM、FLASH 製品の大部分を在庫から直接お届けします。競争力のある価格設定、迅速なサンプル処理、世界クラスのカスタマー サービスとサポートにより、Alliance Memory は、通信、コンピューティング、組み込み、IoT、産業、消費者市場向けの必須メモリ IC の信頼できるリソースとなっています。Alliance Memory, Inc. は、米国ワシントンに本社を置く非公開企業です。
Alliance Memory Соответствующая продукция

Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.

  • RFQ