1 / 1

1 : $6.0480

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Wolfspeed E3M0120090D

Name: E3M0120090D
Brand: Wolfspeed
SKU: E3M0120090D-DS
Price: 6.0480 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1578

MOQ: 1

1 Уровни цен

Производитель Модель :E3M0120090D
Производитель :Wolfspeed
Dasenic # :E3M0120090D-DS
Документация : E3M0120090D Документация PDF
Описание : SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $6.0480
Общая стоимость: $6.05

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$6.0480	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Wolfspeed E3M0120090D технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Obsolete

Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-3

Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)

Пакет устройств поставщика:TO-247-3

Рассеиваемая мощность (макс.):97W (Tc)

Тип полевого транзистора:N-Channel

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):900 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:23A (Tc)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:155mOhm @ 15A, 15V

Vgs(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 3mA

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:17.3 nC @ 15 V

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:350 pF @ 600 V

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V

Vgs (макс.):+18V, -8V

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.29.0095

Регламент REACH:Vendor is not defined

Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

E3M0120090D предоставлено Wolfspeed

Wolfspeed — мощная полупроводниковая компания, ориентированная на технологии карбида кремния и GaN. Мы лидируем в переходе от кремния к карбиду кремния (SiC) и GaN, формируя будущее рынков полупроводников: переход к электромобилям, переход к более быстрым сетям 5G, эволюция возобновляемой энергии и накопления энергии, а также развитие промышленных приложений. После более чем 35 лет внедрения и трансформации новых технологий наши силовые и радиочастотные (RF) полупроводники Wolfspeed® лидируют в отрасли благодаря непревзойденному опыту и мощности.