Изображения предназначены только для справки.
1 : $1.7370
При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !
Wolfspeed C4D02120E-TR
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2
Производитель Модель :C4D02120E-TR
Производитель :Wolfspeed
Dasenic :C4D02120E-TR-DS
Документация :
C4D02120E-TR Документация
C4D02120E-TR ДокументацияПользователи :
Описание : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2
ЦЕНА（USD） : *Чтобы подать заявку на цену, нажмите кнопку «Отправить целевую цену» справа.
| Количество | цен | Общая стоимость |
| 1+ | $ 1.7370 | $ 1.74 |
| 10+ | $ 0.8469 | $ 8.47 |
| 50+ | $ 0.7722 | $ 38.61 |
| 100+ | $ 0.7155 | $ 71.55 |
| 200+ | $ 0.6957 | $ 139.14 |
Запасы: 39840
MOQ :1 PCS
Упаковка :-
Время отгрузки :Отправка в течение 48 часов
Происхождение доставки :Шэньчжэнь или склад в Гонконге
Количество :
цен :$ 1.737
Общая стоимость :$ 1.74
Доставка :
Оплата :
Поможет вам сэкономить деньги и время.
Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.
Быстрая надежная доставка для экономии времени.
Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.
C4D02120E-TR information
Wolfspeed C4D02120E-TR технические характеристики, атрибуты, параметры.
- Категория:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):10A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 2 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:167pF @ 0V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C4D02120E-TR предоставлено Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
Wolfspeed Соответствующая продукция
Мы можем оперативно выполнить заявки клиентов на электронные компоненты, даже на дефицитные на рынке детали.
