1 / 1

1 : $12.6180

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Wolfspeed C3M0032120D

Name: C3M0032120D
Brand: Wolfspeed
SKU: C3M0032120D-DS
Price: 12.6180 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 4776

MOQ: 1

2 Уровни цен

Производитель Модель :C3M0032120D
Производитель :Wolfspeed
Dasenic # :C3M0032120D-DS
Документация : C3M0032120D Документация PDF
Описание : SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $12.6180
Общая стоимость: $12.62

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$12.6180	-
2-100	$12.0690	4.4% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Wolfspeed C3M0032120D технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Active

Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-3

Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)

Пакет устройств поставщика:TO-247-3

Рассеиваемая мощность (макс.):283W (Tc)

Тип полевого транзистора:N-Channel

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):1200 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:63A (Tc)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:43mOhm @ 40A, 15V

Vgs(th) (Макс) @ Id:3.6V @ 11.5mA

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:114 nC @ 15 V

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:3357 pF @ 1000 V

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):15V

Vgs (макс.):+15V, -4V

Статус ЕС RoHS:ROHS3 Compliant

Классификация MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

ХТС США:8541.29.0095

Регламент REACH:REACH is not affected

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

C3M0032120D предоставлено Wolfspeed

Wolfspeed — мощная полупроводниковая компания, ориентированная на технологии карбида кремния и GaN. Мы лидируем в переходе от кремния к карбиду кремния (SiC) и GaN, формируя будущее рынков полупроводников: переход к электромобилям, переход к более быстрым сетям 5G, эволюция возобновляемой энергии и накопления энергии, а также развитие промышленных приложений. После более чем 35 лет внедрения и трансформации новых технологий наши силовые и радиочастотные (RF) полупроводники Wolfspeed® лидируют в отрасли благодаря непревзойденному опыту и мощности.