1 / 1

1 : $78.0000

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

Wolfspeed C2M0080170P

Name: C2M0080170P
Brand: Wolfspeed
SKU: C2M0080170P-DS
Price: 78.0000 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 1549

MOQ: 1

2 Уровни цен

Производитель Модель :C2M0080170P
Производитель :Wolfspeed
Dasenic # :C2M0080170P-DS
Документация : C2M0080170P Документация PDF
Описание : SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $78.0000
Общая стоимость: $78.00

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-10	$78.0000	-
11-450	$65.0000	16.7% Сохранять

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

Wolfspeed C2M0080170P технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Obsolete

Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-4

Технологии:SiCFET (Silicon Carbide)

Пакет устройств поставщика:TO-247-4L

Рассеиваемая мощность (макс.):277W (Tc)

Тип полевого транзистора:N-Channel

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):1700 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:40A (Tc)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:125mOhm @ 28A, 20V

Vgs(th) (Макс) @ Id:4V @ 10mA

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:120 nC @ 20 V

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:2250 pF @ 1000 V

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):20V

Vgs (макс.):+25V, -10V

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Регламент REACH:Vendor is not defined

Классификационный номер экспортного контроля:Provided as per user requirements

Статус RoHS в Китае:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

C2M0080170P предоставлено Wolfspeed

Wolfspeed — мощная полупроводниковая компания, ориентированная на технологии карбида кремния и GaN. Мы лидируем в переходе от кремния к карбиду кремния (SiC) и GaN, формируя будущее рынков полупроводников: переход к электромобилям, переход к более быстрым сетям 5G, эволюция возобновляемой энергии и накопления энергии, а также развитие промышленных приложений. После более чем 35 лет внедрения и трансформации новых технологий наши силовые и радиочастотные (RF) полупроводники Wolfspeed® лидируют в отрасли благодаря непревзойденному опыту и мощности.