1 / 1

1 : $12.1590

При первой регистрации при заказе на сумму более 2000 долларов США предоставляется купон на 100 долларов США. регистрация !

UnitedSiC UJ3C120070K3S

Name: UJ3C120070K3S
Brand: UnitedSiC
SKU: UJ3C120070K3S-DS
Price: 12.1590 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

Запасы: 3570

MOQ: 1

4 Уровни цен

Производитель Модель :UJ3C120070K3S
Производитель :UnitedSiC
Dasenic # :UJ3C120070K3S-DS
Документация : UJ3C120070K3S Документация PDF
Описание : SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Упаковка :-
Получить предложение от продавца: $12.1590
Общая стоимость: $12.16

Количество	Получить предложение от продавца	Сохранять
1-1	$12.1590	-
2-25	$10.5660	13.1% Сохранять
26-100	$9.1170	-
101-250	$8.1450	-

Поможет вам сэкономить деньги и время.

Строгий контроль качества и надежная упаковка товаров.

Быстрая надежная доставка для экономии времени.

Обеспечить гарантийное послепродажное обслуживание в течение 365 дней.

UnitedSiC UJ3C120070K3S технические характеристики, атрибуты, параметры.

Категория:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Статус продукта:Active

Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип крепления:Through Hole

Упаковка / Кейс:TO-247-3

Технологии:SiCFET (Cascode SiCJFET)

Пакет устройств поставщика:TO-247-3

Рассеиваемая мощность (макс.):254.2W (Tc)

Тип полевого транзистора:N-Channel

Особенность полевого транзистора:-

Напряжение сток-исток ( Vdss):1200 V

Ток - непрерывный сток ( Id) при 25° C:34.5A (Tc)

Rds On (макс.) @ Id, Vgs:90mOhm @ 20A, 12V

Vgs(th) (Макс) @ Id:6V @ 10mA

Заряд затвора ( Qg) (макс.) при Vgs:46 nC @ 15 V

Входная емкость ( Ciss) (макс.) при Vds:1500 pF @ 100 V

Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V

Vgs (макс.):±25V

Статус ЕС RoHS:RoHS Compliant

Регламент REACH:REACH is not affected

Классификационный номер экспортного контроля:EAR99

Статус RoHS в Китае:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

UJ3C120070K3S предоставлено UnitedSiC

В 1999 году небольшая группа исследователей из Ратгерского университета основала UnitedSiC. В 2010 году UnitedSiC построила пилотное производство чистой комнаты недалеко от Принстона, штат Нью-Джерси, чтобы усовершенствовать процессы SiC до стадии, на которой их можно было бы напрямую установить в коммерческом литейном производстве. На этом этапе UnitedSiC стала компанией без собственных производственных мощностей, сосредоточив свои ресурсы на проектировании продукции, НИОКР и поддержке клиентов. 3 ноября 2021 года Qorvo объявила о приобретении UnitedSiC, и UnitedSiC стала частью бизнеса Qorvo Infrastructure & Defense Products (IDP). Технология UnitedSiC вместе с дополнительными продуктами Qorvo Programmable Power Management и возможностями цепочки поставок мирового класса позволят UnitedSiC обеспечить превосходный уровень энергоэффективности в самых передовых приложениях. Клиенты по всему миру теперь используют полевые транзисторы UnitedSiC, полевые транзисторы JFET и диоды Шоттки в новых зарядных устройствах для электромобилей, источниках питания переменного и постоянного тока, твердотельных автоматических выключателях, приводах двигателей с регулируемой скоростью и инверторах солнечных батарей.